天成半导体成功制备14英寸碳化硅(SiC)单晶材料

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IT之家 3 月 13 日消息,山西天成半导体材料有限公司成立于 2021 年 8 月,是一家专注于碳化硅 (SiC) 衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。其本月 11 日宣布成功制备出 14 英寸 SiC 单晶材料有效厚度达 30mm

天成半导体成功制备14英寸碳化硅(SiC)单晶材料

IT之家了解到,14 英寸 SiC 单晶材料的主要应用场景为 SiC 部件,即以 SiC 及其复合材料为主要材料的设备零部件,面向刻蚀、外延、沉积等主要半导体制造环节工艺设备的需求

标签: 碳化硅 半导体 材料

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